品牌: GE
型号:DS200TBQDG1AFF
重量:0.79KG
GE DS200TBQDG1AFF
充电过流检测电压(测试电路2)
充电过流检测电压(VCIOV)定义为电压V2,其将VCO从“H”变为“H”的延时时间“L”为电压V2从V1 = 3.4 V起始条件下降时的充电过流延迟时间(tCIOV);V2 = 0 v。
运行时的电流消耗(测试电路2)运行期间的电流消耗(IOPE)是流经该集合下VDD引脚(IDD)的电流V1 = 3.4 V, V2 = 0 V的条件。
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品牌: GE型号:DS200TBQDG1AFF重量:0.79KGGE DS200TBQDG1AFF充电过流检测电压(测试电路2)充电过流检测电压(VCIOV)定义为电压V2,其将VCO从“H”变为“H”的延时时间“L”为电压V2从V1 = 3.4 V起始条件下降时的充电过流延迟时间(tCIOV);V2 = 0 v。运行时的电流消耗(测试电路2)运行期间的电流消耗(IOPE)是流经该集合下VDD引
品牌: GE
型号:DS200TBQDG1AFF
重量:0.79KG
GE DS200TBQDG1AFF
充电过流检测电压(测试电路2)
充电过流检测电压(VCIOV)定义为电压V2,其将VCO从“H”变为“H”的延时时间“L”为电压V2从V1 = 3.4 V起始条件下降时的充电过流延迟时间(tCIOV);V2 = 0 v。
运行时的电流消耗(测试电路2)运行期间的电流消耗(IOPE)是流经该集合下VDD引脚(IDD)的电流V1 = 3.4 V, V2 = 0 V的条件。