近日，东风首批采用纳米银烧结技术的自主碳化硅功率模块从智新半导体二期产线顺利下线
，完成自主封装、测试以及应用老化试验。
碳化硅宽禁带半导体是国家“十四五”规划纲要中重点关注的科技前沿领域攻关项目，作为IGBT模块的升级产品和第三代半导体，碳化硅功率模块有着更低损耗、更高效率、更耐高温和高电压的特性，在中高端新能源汽车中应用越来越普及。
此次下线的碳化硅功率模块运用了哪些工艺和技术？实现了哪些改善和提升？
· 东风自主研发碳化硅功率模块 ·
该碳化硅模块，采用纳米银烧结工艺、铜键合技术，使用高性能氮化硅陶瓷衬板和定制化pin-fin散热铜基板，热阻较传统工艺改善10%以上，工作温度可达175℃，损耗相比IGBT模块大幅降低40%以上，整车续航里程提升5%-8%。
该模块能推动新能源汽车电气架构从400V到800V的迭代，从而实现10分钟充电80%并进一步提升车辆续航里程，降低整车成本。
智新半导体碳化硅模块项目基于东风“马赫动力”新一代800V高压平台，项目于2021年进行前期先行开发，2022年12月正式立项为量产项目。
碳化硅模块项目以智新半导体封装技术为引领，广泛与中央企业、高等院校开展合作，从模块设计、模块封装测试、电控应用到整车路试等环节，实现关键核心技术的自主掌控。
目前，碳化硅模块开发项目已参与国资委专项课题1项参与行业标准制定2项。
责任编辑：TYN
